1. BC517_D74Z
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厂商型号

BC517_D74Z 

产品描述

TO-92 REVERSE MOLD

内部编号

3-BC517-D74Z

#1

数量:4460
1+¥3.2821
10+¥1.8462
100+¥0.7932
1000+¥0.6086
2000+¥0.4581
10000+¥0.4103
24000+¥0.3829
50000+¥0.3419
100000+¥0.3282
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:40000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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BC517_D74Z产品详细规格

规格书 BC517_D74Z datasheet 规格书
BC517
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 1.2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 100µA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 30000 @ 20mA, 2V
功率 - 最大 625mW
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Box (TB)
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最小直流电流增益 30000@20mA@2V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极发射极电压 30
最大基地发射极电压 10
封装 Ammo
最大集电极发射极饱和电压 1@0.1mA@100mA
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 40
Maximum Continuous DC Collector Current 1.2
最低工作温度 -55
铅形状 Formed
类型 NPN
引脚数 3
最大功率耗散 625
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.2A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 100µA, 100mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 30000 @ 20mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 10 V
系列 BC517
直流集电极/增益hfe最小值 30000
集电极最大直流电流 1.2 A
最大集电极截止电流 0.1 uA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
单位重量 0.010088 oz
安装风格 Through Hole
功率耗散 625 mW
集电极 - 基极电压VCBO 40 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 1.2 A
其他名称 BC517_D74ZCT
Pd - Power Dissipation 625 mW
身高 5.33 mm
长度 5.2 mm
品牌 Fairchild Semiconductor

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